RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
2867
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link