RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
3686
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link