RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
2511
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link