RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
96
Около -243% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3693
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link