RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2458
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link