RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3638
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link