RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
96
Около -243% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3933
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905584-032.A00LF 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link