RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
15
96
Около -540% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
15
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
23.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
4039
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link