RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
96
Около -191% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3564
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link