RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
96
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2356
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link