RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
96
Около -243% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2481
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link