RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2731
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link