RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
96
Около -256% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2764
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link