RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
96
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2229
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link