RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
96
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
56
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1964
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link