RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
96
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2900
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link