RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3167
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link