RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
96
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2389
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link