RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
96
Около -317% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2414
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link