RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
96
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3247
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link