RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
96
Около -220% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3188
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link