RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3594
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link