Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.4

Среднее значение в тестах

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 96

Около -317% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.4 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 23
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 16.4
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 2978

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM