RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
43
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1381
2501
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Сравнения RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link