RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
3437
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link