RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
52
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2169
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link