RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2213
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link