RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
43
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2928
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link