RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
50
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
15.4
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3045
2512
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link