Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.6 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.1 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 25
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 19.6
Скорость записи, Гб/сек

7.2 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2051 3774

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM