RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
25
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
17
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
22.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
3847
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link