RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
8.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.2
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
8.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
1842
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link