RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
72
Около 65% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
72
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
1593
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link