RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около 66% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
1825
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link