RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
75
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
1763
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link