Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 29

Около 14% меньшая задержка

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.2 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.9 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 13.2
Скорость записи, Гб/сек

7.2 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2051 2284

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM