Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Средняя оценка

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 53

Около 53% меньшая задержка

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 53
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 20.0
Скорость записи, Гб/сек

7.2 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2051 2366

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM