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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.2
16.1
写入速度,GB/s
8.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1677
2882
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
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