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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
AMD R334G1339U2S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R334G1339U2S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
11.3
9.0
写入速度,GB/s
7.5
4.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
1726
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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