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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
11.3
17.3
写入速度,GB/s
7.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
3072
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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