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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
11.3
19.9
写入速度,GB/s
7.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
3732
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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