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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
11.3
15.7
写入速度,GB/s
7.5
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2725
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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