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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
57
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
57
读取速度,GB/s
11.3
15.1
写入速度,GB/s
7.5
10.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2276
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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