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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
11.3
15.3
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2737
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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