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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
11.3
16.0
写入速度,GB/s
7.5
12.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2353
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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