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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
11.3
17.5
写入速度,GB/s
7.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2807
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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