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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
94
左右 -224% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
29
读取速度,GB/s
1,882.0
15.7
写入速度,GB/s
1,165.4
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2553
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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