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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
94
左右 -203% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
31
读取速度,GB/s
1,882.0
16.8
写入速度,GB/s
1,165.4
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
3125
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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