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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

总分
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

总分
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 94
    左右 -161% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 1,165.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    94 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    1,882.0 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    1,165.4 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    305 left arrow 3422

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
内存RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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内存RAM
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
内存RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
内存RAM