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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
94
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.7
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
46
读取速度,GB/s
1,882.0
10.7
写入速度,GB/s
1,165.4
8.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2239
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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